Podro? w kierunku nanodrutow

Przemysl mikroelektroniczny przeszedl do re?imu Nanoskali, co pozwolilo na osi?gni?cie niskiego poboru mocy i wysokiej szybko?ci przel?czania w obwodach elektronicznych. Wedlug International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, dzisiejsza technologia osi?gn?la rozmiar elementu poni?ej 10nm i zmierza w kierunku 5,6nm. W celu podtrzymania skalowania nie tylko konieczne jest opracowanie nowych architektur urz?dze?, ale mo?e byc równie? wymagane zast?pienie krzemu. Intel opracowal urz?dzenia oparte na tranzystorach trójbramkowych o dlugo?ci bramki 14nm. Wielobramkowe tranzystory FET i struktury tranzystorowe Nanowire s? odpowiednie dla technologii poni?ej w?zla 14nm. Jednak pionowe nanodruty opracowane z materialów zlo?onych III-V, tlenków o wysokim wspólczynniku? i metalowych bramek maj? lepsze osi?gi.